在碱性硅酸盐体系中，采用微弧氧化技术对镁合金进行表面处理，利用SEM、XRD、EDS以及XPS等手段分析陶瓷膜的结构，探讨成膜机理；同时对其耐蚀及耐磨性能进行评价。通过正交试验，结合单因素实验分析，确定了电解液的较优组成为：Na2SiO36g/L，NaF2g/L，C3H8O310ml/L，KOH2g/L。　　微弧氧化过程的电压～时间曲线上存在两个明显的转折点，将曲线分为三个线性阶段。根据电极/溶液界面发生的现象，微弧氧化过程分为普通阳极氧化、火花沉积、微弧及弧光放电阶段。电压～时间曲线上第一、第二转折点分别对应于击穿电压、临界电压。曲线的第一、第二、第三阶段分别对应于普通阳极氧化阶段、火花沉积阶段、微弧及弧光放电阶段。微弧氧化过程中陶瓷膜基本是均匀增重的，在开始一段时间内，氧化膜向外侧和基体内部同时生长，一定时间后向基体内部生长占据主导地位。　　普通阳极氧化阶段形成的陶瓷膜与常规阳极氧化膜表面形貌相类似；当发生击穿时，微孔分布在呈凸起状陶瓷颗粒的中间位置或边缘，形成微孔镶嵌的的网状结构；对应于临界电压点的陶瓷膜表面不存在明显的孔洞；微弧阶段氧化膜的表面重新出现许多大小不一的微孔，呈网状结合在一起，陶瓷膜主要由内部的紧密层和外部的疏松层组成。添加表面活性剂后，极大地降低了陶瓷膜的孔隙率。　　陶瓷膜主要由镁橄榄石Mg2SiO4及方镁石MgO组成。MgO的生成类似于普通阳极氧化；硅酸钠在水溶液中水解产生的正硅酸高温脱水或SiO32－在微弧区高温高电场作用下直接氧化可生成SiO2，在等离子放电的高温作用下，SiO2及MgO均呈熔融状态，微弧熄灭时，在电解液的冷却作用下发生相变，最终生成Mg2SiO4及MgO的混合物。沿着膜层的深度方向，Mg元素的含量逐渐升高，而Si、O元素的含量逐渐降低，表明沿着膜的深度方向，MgO的含量逐渐增加，Mg2SiO4的含量逐渐减少，紧密层主要由MgO组成，疏松层为MgO与Mg2SiO4的混合物。　　导致微弧氧化电流效率低的因素包括金属的阳极溶解、已有膜层的溶解以及氧气的析出。氧气的析出是影响电流效率的主要因素，析出途径为：在氧化膜/溶液界面，水分子或OH－被直接氧化，水分子也可能在微弧氧化过程的热作用而发生热分解，溶液中的电解质也可以直接氧化生成氧气。另一方面，在氧化膜内，O2-也会生成氧气，包覆于氧化膜内。　　经微弧氧化处理后，镁合金的硬度以及耐磨性能均显著提高。动电势极化曲线、电化学交流阻抗、循环阳极极化曲线、腐蚀失重试验以及腐蚀后的形貌观察一致表明：经微弧氧化处理后，镁合金的抗均匀腐蚀及耐点腐蚀能力均显著提高，腐蚀过程可分为四个阶段：腐蚀介质渗透表面疏松层；孔内及疏松层/紧密层的轻微腐蚀；腐蚀产物导致孔内体积膨胀，疏松层破裂；部分紧密层遭到破坏，局部镁合金出现点腐蚀。随着微弧氧化处理时间的延长，陶瓷膜的耐磨性降低，这与粗糙度及疏松层的厚度有关。随着磨损时间的延长，磨损速率逐渐降低，因为越接近内层，陶瓷膜越致密，耐磨性越好，导致整体磨损速率降低。