【摘 要】
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该论文采用电流控制模式对半导体断路开关(简称SOS)p-p-n-n结构的物理过程进行了数值模拟研究.论文内容分为三部分:基本物理模型、数值离散算法及其边界条件处理和SOS二极管
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该论文采用电流控制模式对半导体断路开关(简称SOS)p<+>-p-n-n<+>结构的物理过程进行了数值模拟研究.论文内容分为三部分:基本物理模型、数值离散算法及其边界条件处理和SOS二极管物理过程数值模拟.在基本物理模型中,SOS基本方程由电子连续性方程、空穴连续性方程和全电流密度方程组成,采用电流控制模式联立求解外电路方程和SOS基本方程.在数值离散算法中,采用Scharfetter-Gummel指数格式对电子和空穴连续性方程进行离散化,采用半隐式格式对全电流密度方程进行离散化,采用Runge-Kutta法求解外电路方程.在SOS二极管物理过程数值模拟中,针对不考虑产生/复合、仅考虑Shockley-Read-Hall复合和同时考虑Shockley-Real-Hall复合、Auger复合以及电离碰撞过程三种情况,对SOS的电流截断过程进行了数值模拟,并对模拟结果进行了分析和讨论,得到了参考价值的结论.
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