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氧化锌(ZnO)是新一代的Ⅱ-Ⅵ族宽带半导体材料,具有纤锌矿晶体结构,禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,可以实现室温下的受激发射。ZnO薄膜具有良好的透明导电性、压电性、光电性、压敏性,并且易于与多种半导体材料实现集成化。因此,ZnO材料具有广泛的应用,可以制成表面声波谐振器,压电器件,透明导电膜以及GaN蓝光薄膜的过渡层等。本文采用PLD方法在不同的沉积温度下,分别在蓝宝石基片、Si(001)基片、石英基片以及氮化处理后的蓝宝石基片上生长出了纯净的ZnO薄膜;利用反射式高