热电材料是一种可以将电能和热能实现相互转换的功能材料。近年来,铟硒化合物由于其固有的结构特征（包括相、晶体结构和结构缺陷）而备受关注。In₆Se₇是铟硒系列的二元半导体化合物,这种半导体具有单斜晶系结构,其空间群为P21/m,晶体中In元素以三种不同的价态（+1,+2,+3）混合存在。研究发现:采用Sn替换In₆Se₇中的In后,材料中存在Sn4+和Sn2+两种不同价态的Sn离子,并萌生多种结构点缺陷（例,Sn In3+、SnIn+、SnIn-）。计算得出:Sn4+优先占据在In+点位生成施主缺陷Sn In3+,而Sn2+优先占据在In3+点位生成受主缺陷Sn In-,由于施主缺陷SnIn3+的作用,材料从本征下的p-型半导体转变成掺杂后的n-型半导体,同时材料的电导率大幅提高。尽管Sn2+中和了部分Sn4+的作用,对材料的输运性能产生了一定的负面影响,但是掺杂后材料的热电优值（ZT）依然有较大的提升。在833K时,In6-xSnxSe7（x=0.1）的样品ZT值达到最大值0.28,约为本征In₆Se₇（ZT=0.015@640K）的19倍。采用原子质量更大的Pb元素替换In₆Se₇中的In,发现对提升热电性能的效果更佳。在840K时,In6-yPbySe7（x=0.5）材料的ZT值达到最大值为0.38,是本征In₆Se₇（640K,ZT=0.015）的25倍。