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本文研究了酒石酸钾钠(Tart)和EDTA·2Na盐化学镀铜工艺、四丙基乙二胺(THPED)和EDTA·2Na盐化学镀铜工艺，这两种工艺能够在成本不多的条件下得到沉积速度较快、性能优良的镀层，对半加成法PCB化学镀铜的发展有一定的参考价值；研究了THPED化学镀铜工艺及其机理,在最佳工艺条件下得到了沉积速度快、性能优异的镀层，可用于全加成法PCB化学镀铜，提高了经济效益。
通过对酒石酸钾钠和EDTA·2Na盐化学镀铜工艺研究，得到该体系最佳工艺条件是CuSO<,4·5H<,2>O为16g／L、EDTA·2Na盐为21g／L、酒石酸钾钠为16g／L、甲醛为5.0gm、亚铁氰化钾为70mg／L、α,α-联吡啶为8mg／L、PEG-1000为lgm、pH值为12.75及镀液温度为50℃。在最佳条件下施镀30min后获得的镀层外观红亮，背光级数达到9级(10级制)，附着力达到GB 5270-85标准，镀速为3.4μm／h，镀液稳定，SEM检测表面平整、晶粒细致，可用于半加成法PCB化学镀铜。通过对THPED和EDTA·2Na盐化学镀铜工艺研究，得到该体系最佳工艺条件是EDTA2Na盐为8.7g／L、THPED为l0g/L、CuSO<,4>5H<,2>O为12g／L、甲醛为5.0g／L、亚铁氰化钾为20mg／L、α，α-联吡啶为5mg／L、PEG-1000为lg/L、2-MBT为0.5mg／L、pH值为13.2及镀液温度为50℃。在最佳条件下施镀30min后获得的镀层外观光亮，背光级数达 到10级，附着力达到GB 5270-85标准，镀速为4.35μm／h，镀液稳定，SEM检测表面平整、晶粒细致，可用于半加成法PCB化学镀铜。
通过对THPED化学镀铜工艺研究，得到该体系最佳工艺条件是THPED为16.8g/L、CuSO<,4>·5H<,2>O为13.3gm、甲醛为5.Og/L、α，α-联吡啶为5mg／L、PEG-1000为0.5g／L、2-MBT为2mg／L、pH值为12.75及镀液温度为30℃。在最佳条件下施镀30min后获得的镀层外观红亮，背光级数达到10级，附着力达到GB 5270-85标准，镀速为9.54μm／h，镀液稳定，SEM检测表面平整、晶粒致密，可用于全加成法PCB化学镀铜。
通过对THPED化学镀铜体系的电化学行为研究得出甲醛在电位-O.65V左右发生化学镀铜阳极过程的主反应，即吸附态甲醛的不可逆氧化析氢反应；在电位-0.4V左右发生化学镀铜阳极过程的次反应，即吸附态甲醛的准可逆氧化不析氢反应；Cu(Ⅱ)在电位-1.2V左右发生的阴极还原反应为伴随有前置化学反应的不可逆电化学反应。THPED化学镀铜过程是以甲醛阳极反应为控制步骤的过程；阴、阳极反应控制程度分别为39％和 61％。
通过对镀液性能的电化学行为研究，得到THPED化学镀铜液中添加剂的适宜范围为：α,α-联吡啶应≤5mg／L，2-MBT 应≤2mg／L，PEG-1000应≤O.5g／L。这与工艺研究的范围一致。