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ZnO材料由于具有宽带隙(3.37 eV),大的激子束缚能(60 meV)等优点,在紫外发光二极管、半导体激光器等方面具有广阔的应用前景。针对目前国际上ZnO电泵浦激光研究方面的不足以及MgZnO材料深紫外激光的研究空白。本论文采用原子层沉积技术、分子束外延技术、磁控溅射等方法制备了ZnO基紫外发光器件。实现了低阈值的ZnO随机激光输出及ZnO异质pn结电泵浦受激发射。此外,对深紫外波段的MgZnO电注入受激发射进行了初步的研究探索。取得的主要结果如下:(1)针对目前随机增益介质p型掺杂难以实现的问题,采用介电层碰撞离化产生的空穴为随机增益介质提供空穴的思想,构建了Au/MgO/ZnO结构器件。室温条件下在该结构中获得了阈值电流为43 mA的ZnO随机激光输出。为了降低随机激光的阈值电流,通过引入绝缘ZnO层作为空穴产生层,降低了电子-空穴对的离化阈值,成功的将激光发射阈值电流降低到了6.5 mA。(2)针对目前MgZnO材料p型和n型有效掺杂难以实现的问题,我们采用MgO层碰撞离化产生的空穴为MgZnO发光层提供空穴载流子,同时利用n型ZnO为MgZnO发光层提供电子的思想,实现了MgZnO材料波长在330 nm附近的电泵浦激光发射。利用组分渐变MgxZn1-xO梯度势垒层来提高载流子注入的思路,在立方相MgZnO中首次实现了波长在276 nm的深紫外电注入发光。(3)采用介电层调节载流子输运的思想,克服了直接匹配型ZnO异质pn结中存在的ZnO发光较弱问题,达到电子和空穴在ZnO发光层同时富集的目的。在p-GaN/MgO/n-ZnO结构中实现了阈值电流为0.8 mA的受激发射。进而尝试将ZnO替代为带隙更大的MgZnO材料,获得了波长在374 nm附近的激子型电致发光。