钙钛矿发光材料具备高荧光量子效率、窄光谱半峰宽、高载流子迁移率、低陷阱密度、可调节的发射波长、可溶液加工和低成本等优势,在发光二极管领域中备受瞩目。近期,外量子效率超过20%的高性能钙钛矿发光二极管（Perovskite Light-Emitting Diodes,简称PeLEDs）相继问世,标志着PeLEDs在器件效率方面的研究已经取得了重大突破,但稳定性问题仍然是现阶段限制PeLEDs走向实际应用的主要因素之一,因此本文的研究目标是如何提高PeLEDs的稳定性。本文通过ITO/ZnO/PVA/Cs_0.76FA_0.24PbBr₃/PVK/MoO₃/Al的倒装器件结构制备出比较稳定的绿光混合阳离子PeLEDs。其中的混合阳离子钙钛矿Cs_0.76FA_0.24PbBr₃是通过往CsPbBr₃（Cesium,简称Cs）主体掺杂少量甲脒（Formamidinium,简称FA）来制备的,具有接近数值1的容忍因子（0.96）、较少的陷阱和较高的激子结合能（59.2 meV）;Cs_0.76FA_0.24PbBr₃/PVK(聚乙烯基咔唑,Poly（N-Vinylcarbazole）双膜层是采用含有PVK的氯苯反溶剂（Antisolvent,简称AS）处理旋涂中的钙钛矿一步制备的,在简化器件制备工艺的基础上进一步减少Cs_0.76FA_0.24PbBr₃膜层的陷阱,提高了Cs_0.76FA_0.24PbBr₃膜层的光致荧光（Photoluminescence,简称PL）性能和PL稳定性,直观表现为储存222天后该Cs_0.76FA_0.24PbBr₃/PVK双膜层PL强度仍然高于新鲜制备的CsPbBr₃膜层。通过上述混合阳离子策略和新型反溶剂法制备的PeLEDs,在高达10000 cd m^-2的初始亮度下,器件亮度衰减至初始亮度值一半的时间（The Time at Decay to Half Initial Brightness,简称T50）可达11.7 min,优于其它Cs-FA混合阳离子PeLEDs的器件寿命。该种混合阳离子绿光PeLEDs电致发光（Electroluminescence,简称EL）稳定性较好的原因主要是陷阱含量较少的Cs_0.76FA_0.24PbBr₃膜层所具备的本征PL稳定性。