目前商品化的碳负极材料的理论比容量较低，限制了其应用范围。锡的理论比容量高达994 mAh/g，且具有嵌锂电位适中、廉价易得等优点，成为研究较多的负极材料之一。然而，充放电时伴随着不断的脱嵌锂过程，锡电极将产生巨大的体积变化，引起锡基体开裂、粉化甚至从集流体上剥落，表现了较差的循环性能。针对这个问题，本文采用具有三维结构的泡沫铜做基底，为锡电极在充放电过程中体积膨胀提供足够的空间，同时粗糙的基底表面可增强活性物质与基底的结合力，提高电极循环性能；采用真空蒸发及磁控溅射制备了Sn薄膜，考察了其电化学性能；利用磁控溅射制备了Sn-Al薄膜，研究了不同掺Al量对薄膜电化学性能的影响。　　 采用真空蒸发在泡沫铜基底上制备了Sn薄膜负极材料。通过XRD表征薄膜物相结构、SEM分析了其微观形貌，并测试了Sn薄膜的电化学性能。结果表明，三维结构的泡沫铜的粗糙基底增强了活性物质与基底的结合力，在相同基底温度和功率下，随着蒸发时间的增加，锡颗粒逐渐增大，其电化学性能降低；在相同蒸发时间和功率下，升高基底温度，颗粒无明显变化，改善了样品的循环寿命，当蒸发功率200 W、基底温度200℃及蒸发时间0.5 h时，样品的性能最优，100次充放电循环后，其放电比容量仍达407.3 mAh/g。　　 采用磁控溅射在泡沫铜基底上制备不同粒径大小的Sn薄膜材料，在相同基底温度和功率下，溅射时间10 min时，Sn颗粒较小，样品的循环性能最优。首次充电比容量为955.4 mAh/g，100次后循环，放电比容量为448.5 mAh/g，较真空蒸发制备的样品性能有所提高。制备了一系列不同比例组成的Sn-Al薄膜，通过XRD及TEM表征薄膜物相结构，SEM分析其微观形貌，EDS测试分析Sn和Al的含量。当掺Al量为17.0 wt％时，Sn-Al薄膜样品的电化学性能最优，100次循环后，仍有较高的放电比容量581.9 mAh/g；考察了不同电流密度下该样品的性能，在1000 mA/g的电流密度下，100个充放电循环，放电比容量为425.8mAh/g，表现了较好的倍率性能。