目前,磁光材料和器件成为现代通信、航天、雷达、医疗必不可少的关键材料。磁光椭偏技术是近几年发展起来的探测磁光材料磁学和光学性质的新技术,它能够通过探测克尔效应引起的反射光偏振状态的改变,给出体材料和纳米磁性膜的磁光特性,对研究磁性材料的磁各向异性、磁耦合等具有重要的意义。以磁光椭偏技术为基础的磁光椭偏仪可以与薄膜生长设备如磁控溅射设备、MBE结合在薄膜生长过程中进行原位测量,为薄膜生长的不同阶段提供精确参考,是指导薄膜生长的必备检测工具。磁光椭偏仪还可为原有磁光薄膜材料进行优化升级提供可靠的理论与实验基础,为寻找新型的磁光材料提供先进的测量工具。本论文较为系统的叙述了国内外磁光椭偏技术领域相关的研究成果,对目前应用广泛的椭偏测量和表面磁光克尔效应测量进行了分析,从理论和实验两方面对磁光椭偏技术进行了分析,成功的建设了磁光椭偏实验平台,并利用该平台测量了坡莫合金和纳米磁性膜的磁光性质,实验结果证明该平台可以达到纳米级的测量精度。此外,论文还从理论上分析了体材料及多层薄膜结构的磁光克尔效应,得到了纵向克尔偏转角的计算公式。论文的创新点如下：(1)将斩波器、锁相放大器引入磁光椭偏实验平台,利用半导体激光器代替原先的偏振激光器,降低了对激光器的精度要求,利用斩波器中调制盘,将连续激光变成脉冲激光；斩波器的方波作为锁相放大器的参考信号,探测器接收到的脉冲信号作为待测信号输入锁相放大器中进行数据计算、存储。论文对该实验平台的可靠性与精确性进行了一系列的实验,得到了良好的效果。(2)分析了保护层的复折射率对磁性材料的克尔偏转角的影响。在保护层厚度一定的情况下,克尔偏转角将随保护层折射率n的增大而增大,随消光系数k的增加而减小,比较了Al、Au、Cu、Ag、Ta作为保护层材料时,生长在GaAs衬底上的纳米Fe膜的纵向克尔偏转角的变化,为选择合适的保护层材料提供了理论和实验基础。