氧化锌(Zinc Oxide, ZnO）作为一种新兴的半导体材料，近几年，对其材料生长、合成，器件制备与应用等方面的研究工作逐步深入。氧化锌材料因其禁带宽度宽，室温下，性能稳定，材料易于生长、合成，且可在相对较低温度下，多种衬底上生长，因而得到了广泛重视。氧化锌薄膜晶体管基于氧化锌材料自身优势，在替代硅基薄膜晶体管方面极具潜力。本文采用金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical VaporDeposition, MOCVD)方法，对在以康宁玻璃(Corning glass)、ITO（IndiumTin Oxide）玻璃、硅为衬底的氧化锌薄膜生长做了研究。主要研究了生长温度、作为氧源的氧气对薄膜生长质量的影响。利用X射线衍射（X-raydiffraction, XRD）图谱分析、光荧光谱(Photoluminescence, PL)分析和原子力显微镜(Atom Force Microscope, AFM)观察等测试手段，对生长的氧化锌薄膜的晶体生长质量，及有关电学性能参数进行了表征。