PZT陶瓷是一种应用最为广泛的压电陶瓷材料。采用传统固相烧结制备PZT陶瓷需高温条件及长时间的保温过程,在此过程中Pb挥发严重,使得PZT陶瓷的化学计量比发生偏离,并严重污染环境和生产设备。为解决Pb挥发的问题,有效且可行的方法是降低PZT陶瓷的烧结温度和烧结时间。另外,KNN陶瓷是近年来发展出的一种新型无铅压电陶瓷材料。由于高温时碱金属K、Na的挥发,使得采用传统固相烧结方法难以制备致密的KNN陶瓷。因此,要开发出新型的烧结方法来制备KNN陶瓷。本次研究工作采用一种新型的电场辅助烧结技术-闪烧技术来制备PZT和KNN陶瓷。闪烧技术能极大地降低烧结温度和烧结时间,有效地抑制Pb、K、Na元素的挥发,从而制备出致密且纯相的PZT和KNN陶瓷。主要研究内容及结果如下:（1）采用溶胶凝胶法制备出了纯相的PZT陶瓷粉体,然后干压成型得到了PZT素坯,随后给素坯施加300-600 V/cm的直流电场,在电场的作用下进行烧结,详细研究了其烧结行为。结果表明,当电场强度和炉温达到一个特定值时,样品发生闪烧,即样品的电导率急剧增大,并伴随着快速烧结致密化;闪烧的起始温度随着电场强度的增加而降低。在600 V/cm的电场作用下,在538℃烧结30 s,成功制备出了致密的PZT陶瓷;平均晶粒尺寸随场强的增加而减小;闪烧发生后,电流密度对样品的致密度和晶粒尺寸有着重要的影响;在闪烧发生时可观察到样品的发光现象;采用黑体辐射模型估算了样品实际温度,发现焦耳加热并不能完全解释闪烧过程中PZT陶瓷的快速致密化,我们认为,除了焦耳热,缺陷的大量生成促进了烧结致密化过程。（2）采用熔盐法在800℃制备出了分散性良好的NaNbO₃和KNbO₃陶瓷粉体,然后干压成型得到NaNbO₃和KNbO₃陶瓷素坯,在400-700 V/cm的电场作用下对其烧结致密化过程开展了研究。研究发现,当电场强度和炉温达到一个特定值时,NaNbO₃和KNbO₃发生闪烧;闪烧技术能有效地抑制Na₂O、K₂O在高温下的挥发,可制备出致密且纯相的NaNbO₃和KNbO₃陶瓷;闪烧技术能够在含有易挥发成分陶瓷材料的烧结制备中发挥独特的作用。（3）以NaNbO₃和KNbO₃陶瓷粉体为起始原料,Na/K摩尔比为1:1混合均匀并干压成型得到NaNbO₃-KNbO₃素坯,然后施加400-700 V/cm的直流电场进行烧结。研究结果表明,NaNbO₃-KNbO₃素坯分别在950℃、921℃、897℃、810℃的温度下发生了闪烧,并在30 s的时间内得到了纯相且致密的KNN陶瓷;随着电场强度的增加,样品发生闪烧的温度降低;闪烧过程中,固相反应和烧结同时发生。