近年来,环境污染问题愈发严重,目前解决这一问题有效的方法之一是利用光催化降解技术来降低有机污染物对于环境的污染。半导体光催化剂因具有特殊的性能而引起了人们的关注,其中ZnO因具有化学性质稳定、无毒、易制备,且光敏性能强、禁带能级宽(3.37 eV)、氧化能力强等特点,是应用较多的光催化材料之一。但是,ZnO的电子-空穴对复合率比较高,并且它的光响应范围主要集中在紫外光区域。而将ZnO与某些窄带隙的半导体材料复合可以有效改善其光催化性能。CdS因具有高的光吸收率和与ZnO相似的晶格结构而作为首选复合材料之一。本论文采用两步法制备了ZnO/CdS核壳结构纳米复合材料,首先利用水热法在Si片上生长ZnO纳米线,研究了籽晶层、前驱体浓度、聚乙烯亚胺(PEI)浓度对ZnO纳米线结构及形貌的影响,并制备出长径比为35、沿c轴生长的Zn O纳米线;其次对此条件下生长的ZnO纳米线进行离子交换实验以制备ZnO/CdS核壳结构纳米复合材料,并研究了离子交换时间和反应液浓度对ZnO/CdS核壳结构纳米复合材料形貌、结构及光学性能的影响;最后还对不同条件下制备的ZnO/CdS核壳结构纳米复合材料的光催化性能进行了研究,研究发现在ZnO表面复合CdS可以显著提高材料的光催化性能,在紫外光条件下该复合材料的光降解率较复合之前提高了50%左右。