半导体纳米材料具有非常特殊的光、电、磁等特性，这些材料在光电转换、传感、显示、生物成像等领域都有着非常重要的作用。尤其是纳米晶材料具有优良的光学性质，可以应用于生物荧光标记，在生物学和医学方面具有不可替代的作用。II-VI族纳米晶是半导体纳米材料中最重要的组成部分，包括CdTe，ZnS，CdSe，ZnO等。但是随着科技水平的发展，人们对材料的要求越来越高，简单的纳米晶材料已经不能满足人们的需求，因此出现了对纳米晶材料的金属掺杂、修饰，使其表现出更多更优异的性能。　　本论文以II-VI族半导体纳米晶为基体，制备稀土离子掺杂的纳米晶材料并对其进行表面修饰，研究其发光性能，主要研究了以下几个方面。第一，在水溶液中，采用水热合成法制备了稀土离子铕掺杂CdTe纳米晶，对各种影响发光的因素(pH值，掺杂浓度，反应时间)进行了研究探索，找到最佳合成条件，制备出发光性能良好且稳定性高的纳米晶，并对其进行了二氧化硅的壳层包覆，提高了其发光强度以及稳定性。第二，水相中制备了稀土离子铕掺杂ZnS纳米晶，发射光谱中表现出很强的稀土发射，对其进行了表面修饰后，表现出了很强的绿光发射，荧光强度大大增加。第三，用有机合成法制备稀土离子铕掺杂CdSe纳米晶，探讨了稀土离子对其发光性能的影响，并用聚合物对其进行表面修饰。通过对半导体纳米晶的稀土掺杂以及表面修饰，我们制备出一系列发光性能良好，稳定性高的纳米晶，并且可以实现对纳米晶发光颜色的调节，为纳米晶的应用提供了理论依据。