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碳纳米管是典型的一维纳米材料,其结构的特殊性使其对气体具有很强的吸附能力,将其制成气敏传感器具有灵敏度高、工作温度低、尺寸小等优点。阵列碳纳米管薄膜有着垂直于基片取向性的特殊结构,表现出更优异的气敏特性,但是针对不同的基体还没有成熟的生长碳纳米管工艺。如何可控地合成具有特定结构或性质的碳纳米管,是实现阵列碳纳米管传感器应用的关键性因素。本文通过物理法和直接化学气相沉积法分别在Al2O3或Si基底上制备了碳纳米管(阵列)膜,考察了制备方法、沉积工艺、基体材料等对碳纳米管阵列气敏特性的影响。在