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GeSbTe基相变存储器因其优异的非易失性、相变速度快等优点已经在商业领域得到广阔的发展。GeSbTe相变存储材料能够在晶体相(低阻态)和非晶相(高阻态)之间发生快速相变,通过对相变过程中不同相之间差异电阻率的读取从而实现对信息的读取。近几十年来,对相变存储材料的研究也越来越深入。不同工艺、不同时效过程中相变材料的亚稳相也并不相同,暂时还没有形成统一的共识。利用磁控溅射方法制备了GeSb_2Te_4薄膜,借助于先进的透射电子显微技术、径向分布函数、高分辨显微成像及模拟技术、霍尔效应测试仪等对不同溅射