碳化硅(SiC)器件作为一种新型功率器件，近年来以其适用于高温高频开关工作等突出优势受到广泛的研究和应用。对其特性进行分析和评估、研究其驱动等应用关键技术，具有重要意义。本文着重研究SiC MOSFET，分析了器件特性及参数，建立了PSpice仿真模型，引入温控电压源和温控电流源补偿温度特性，使该模型在较宽的温度范围内有效，并考虑了SiCMOSFET负压关断的影响；研究了SiC MOSFET对驱动电路的要求，设计实现了SiC MOSFET单管及构成桥臂两种应用场合的驱动电路，并进行了高低温实验条件下的测试，验证了模型及建模方法的合理性和有效性。将SiC MOSFET应用于双有源桥变换器，结合采用一种改进的移相控制策略，分析了变换器工作模态并建立了损耗分析模型；比较了SiC MOSFET与Si MOSFET在寄生参数、温度特性、体二极管特性等方面的差异对变换器软开关范围、高温特性及效率的影响。搭建了实验样机，验证了SiC MOSFET在提高变换效率方面的优势。