受半导体工艺尺寸微缩限制,传统浮栅存储器的发展不断面临着挑战,新型存储器逐渐成为人们研究的重点。其中,阻变存储器具有编程电压低,读写速度快,与标准CMOS工艺良好兼容等优势,被认为是最有前景的非挥发存储器之一。但是,阻变存储器件的阻变机理不够清晰、存储单元的读写操作不太稳定、阻变性能亟待优化等都影响着阻变存储器的实际工程应用。对于阻变存储器而言,除了器件结构、工艺条件、电路设计以外,改变器件编程方式是提高阻变性能稳定性和可靠性的重要手段。研究阻变存储器的可靠性,需要对单管器件或者集成阵列中的存储单元进行大量的读写操作测试,基于测试结果进行编程算法优化来提高器件性能,所以阻变存储单元的测试技术在存储器应用研究中尤为重要。本文的研究主要集中在对阻变存储器的测试技术上,一方面探索不同读写操作方案对阻变存储器性能的影响;另一方面,针对新型阻变存储器芯片存在的功能故障,设计内建自测试电路。具体内容如下:1:基于C/C++语言,实现了针对阻变存储器阵列测试的程序,包括漏电测试、静态电流测试、器件耐受性(Endurance)测试、均一性测试、器件保持特性(Data Retention)测试等的编程开发工作。研究了不同脉冲电压和脉冲时间对器件Forming、Set、Reset成功率的影响。对存储器阵列进行区域划分,实现shmoo测试,测试条件达到90个,以成功率为参考标准,快速有效的提取出Forming、Set、Reset的最佳编程条件。针对阻变存储器耐久性测试,研究了脉冲宽度和脉冲高度步长对器件循环特性的影响,并进一步探究脉冲高度步长对器件的均一性的影响。基于阻变存储阵列,研究了不同操作模式对器件高低阻态的数据保持特性的影响。2:基于Python、Perl、VBA等脚本语言开发了测试结果分析处理工具,实现数据处理自动化。3:从阻变存储器的功能故障表现出发,建立了阻变存储器的故障原语。由于阻变存储器故障存在相似的逻辑表现,所以文中提出一种故障识别表达式,具体描述检测每一种故障应完成的读写操作步骤与方式。基于March算法,以故障覆盖率为前提,提出三种改进后的测试算法。完成内建自测试电路中各个模块的设计,通过仿真实验,验证该自测试电路可以准确定位故障。