【摘 要】
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随着科学技术的发展和人们生活水平的提高,折叠手机、有机发光二极管(OLED)以及可穿戴电子器件日益得到人们的青睐,这些电子器件对柔性导电薄膜具有很强的依赖性,银纳米线是制备该类薄膜材料的首选。此外,银纳米晶本身具有的表面等离子体共振(LSPR)效应,有望在传感、生物检测、成像、等离子体诱导光催化等领域得到应用。对银纳米线/银纳米晶的尺寸、形貌、结构等进行调控,是优化相关应用性能的主要手段。本论文以
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随着科学技术的发展和人们生活水平的提高,折叠手机、有机发光二极管(OLED)以及可穿戴电子器件日益得到人们的青睐,这些电子器件对柔性导电薄膜具有很强的依赖性,银纳米线是制备该类薄膜材料的首选。此外,银纳米晶本身具有的表面等离子体共振(LSPR)效应,有望在传感、生物检测、成像、等离子体诱导光催化等领域得到应用。对银纳米线/银纳米晶的尺寸、形貌、结构等进行调控,是优化相关应用性能的主要手段。本论文以具有五重对称结构的金十面体纳米晶为种子,在水相体系中对银纳米线/纳米晶的生长行为进行调控,获得了尺寸可调的锥形以及一维银纳米晶。通过对银在金十面体纳米晶表面的沉积与生长的动力学控制因素进行调控,深入了解锥形银纳米晶、银纳米棒/线的生长机制,为实现宏量制备和生产该类纳米材料提供理论指导。具体研究内容如下:(1)我们的研究发现,生长速度和反应温度对纳米晶尺寸和形貌都有较大的影响:当反应物滴加速度较慢(2 m L/h)时有利于锥形Au@Ag纳米晶的形成,滴加速度较快(30 m L/h)则有利于一维纳米结构的形成;较高的反应温度(90℃)可以促进银原子在晶种表面的扩散和迁移、形成锥形Au@Ag纳米晶,而较低的反应温度(<60℃)则抑制了银原子的扩散与迁移、促进一维纳米棒(线)的形成。(2)以不同尺寸的金十面体纳米晶作为晶种,实现了尺寸不同的银纳米线/棒的可控制备,直径范围为20-50 nm,长度在50 nm到5μm之间;通过控制一维纳米结构的长度,实现了400 nm到1000 nm的的银的LSPR的精确调控;利用含有不同卤素阴离子的表面活性剂作为结构导向剂,也可以实现银一维纳米棒/线的尺寸调控,同时发现卤素离子的种类和浓度是一维纳米结构形成的主要因素。
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