Si基二维孔构ZnO周期结构薄膜生长及性能研究

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【摘要】

：

近年来,随着显示器、照明及信息存储技术对短波长光源需求的日益增长,使得短波长LED和激光器等发光器件的制作越来越引起人们的重视。宽禁带氧化物半导体材料ZnO(3.37eV)由于其在短波长光电子器件方面的巨大应用前景,受到了国内外学术界的广泛关注。与ZnSe(22meV)、ZnS(40meV)和GaN(25meV)等相比,ZnO因其激子结合能高达60meV而成为更适合于室温或更高温度下工作的低阈值短

【作者】

：

崔秀芝

【机构】

：

曲阜师范大学

【发表日期】

：

2008年04期

【关键词】

：

ZnO 分子束外延 Si衬底光子晶体反射式高能电子衍射 X射线衍射扫描电子显微镜

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