一维纳米结构如纳米柱、纳米带等,由于它们具有独特的物理特性而具有广泛的应用,并逐渐成为一个热门的研究领域。纳米结构可以作为纳米尺寸器件的制备材料,亦可以作为研究物质在纳米尺度上的光学、电学、热学和磁学特性等物理性质的理想体系。探索纳米材料的可控制备,并研究其独特的物理等性质具有重大的意义。近年来,作为宽带隙的半导体纳米材料,CdS、ZnS半导体材料具备优异的光、电、磁等性质,一直受到科研工作者的广泛关注。因此,本文通过物理气相沉积法研究了不同形貌的CdS纳米材料的制备,并研究了不同生长条件,金膜厚度、沉积温度、载流气体流速对CdS纳米结构生长的影响,在一定程度上实现了CdS纳米材料的可控生长制备。并对所制备的样品进行了SEM、XRD、PL光谱分析。制备了ZnS纳米带结构,并以其为基础,再次通过物理气相法,成功合成了ZnS纳米带/CdS纳米棒异质结。本文亦探索了硅微纳籽晶阵列的制备工艺,通过直接气相制备技术制备了超薄晶硅薄膜,为柔性晶硅薄膜转移奠定了一定的基础。