由于一维纳米材料具有独特的光学、电学、声学以及力学特性，使其性能在许多情况下要比其相应的体相材料应用更广泛。而ZnO作为一种很重要的II-VI族直接带隙、宽禁带的半导体材料，在室温下能带带隙为3.37eV，激子束缚能高达60meV，使得其迅速成为半导体器件材料研究的热点。随着研究的深入，人们发现纳米线与金属电极接触时会形成肖特基势垒，此时，纳米线的电流输运特性主要由势垒控制，而不是由纳米线本身的电阻控制。出现上述现象的主要原因就是纳米线直径较大。在目前的研究中，纳米线的直径通常在100nm以上，该直径要大于由表面态引起的势垒宽度的特征值（20nm左右），这种情况下，纳米线表面存在耗尽层，而在纳米线的中轴附近存在未耗尽的高导层。这种势垒结构会导致纳米线的输运由肖特基势垒控制，纳米线本身电阻的变化对电流没有显著的影响。当纳米线的直径小于势垒宽度的特征值时，此时纳米线的表面势垒无法形成，纳米线处于完全耗尽的状态。由于表面势垒和高导层的消失，控制纳米线输运特性的就不再是肖特基势垒，而是纳米线本身的电阻。因此，构筑基于超细纳米线的检测器件是解决上述问题的有效途径，那么如何获取超细纳米线就成为首先需要解决的问题。虽然一维ZnO纳米材料的研究已经取得了长足的进步，但如何实现形貌、尺寸和结构可控制备依然是个很大的挑战，尤其是制备出直径小于10nm的超细纳米线。另外，在器件构筑方面，要构筑基于超细纳米线的纳米器件依然存在着许多问题，比如成本高、灵敏度低、操作繁琐复杂等。因此，在纳米器件构筑方面仍然需要探索研究更加低廉、高效、便捷的方法。基于上述问题和思路，本论文主要开展了以下工作。首先，尝试采用不同的制备方法，以期获得超细ZnO纳米线。并利用电子束曝光（EBL）技术，制备不同间距的纳米电极。在上述两部分工作的基础之上构筑纳米器件，并对其光电特性进行测试。因此在本论文中，包括了以下几个部分：首先，我们通过简单的溶剂热法以及均匀沉淀法来实现ZnO超细纳米线的合成。通过对反应温度、反应时间等实验参数进行系统地调控，最终通过溶剂热方法制备出了直径在4-10nm的ZnO超细纳米线；同时在常温常压下利用均匀沉淀法得到了直径在15nm左右的ZnO纳米线，该方法解决了溶剂热方法合成超细纳米线产量低的问题。并通过SEM、TEM、HRTEM以及XRD等对纳米线的形貌、尺寸以及结晶性等进行表征，同时也对其在室温下的光学性质进行了研究。其次，我们利用电子束曝光（EBL）方法，综合考虑曝光过程中电子束的束斑、束流、曝光剂量以及溅射金属过程中金属与基底的结合力等因素，最终整合实验条件制备出了电极间距分别在600、300、100nm左右的纳米电极。通过对制备的电极进行SEM、AFM表征，结果表明该条件下制备的纳米电极在剥离过金属之后表面较光滑，残留的金属较少。在不组装纳米线的情况下对电极进行I-V测试，其漏电流一般在10-14-10-15A之间，表明该条件下制备的电极可以用于后续的器件构筑工作。最后，我们对ZnO超细纳米线的光电器件进行了构筑，并测试了其光电性质。实验结果表明，ZnO超细纳米线器件在加紫外光照射下有较强的光响应，光电流较暗态下电流增加了两个数量级。