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本文采用电子束反应蒸发法,选用自制的掺WO_3的In_2O_3陶瓷靶材,制备IWO(In_2O_3:WO_3)透明导电氧化物薄膜。研究WO_3掺杂浓度、衬底温度、氧流量、薄膜厚度、退火处理、SiO_2和Al_2O_3阻挡层以及梯度速率等因素对IWO薄膜结构特性、光学特性和电学特性的影响。在WO_3掺杂浓度为0.35%、衬底温度为350℃、氧流量为35sccm、薄膜厚度为800?(实测为120nm)条件下制备的IWO薄膜的载流子迁移率μ为47.9cm2V-1s-1,载流子浓度n为2.66×10