超宽带GaN HEMT功率放大器研究

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本文主要研究了覆盖S-C波段的超宽带功率放大器设计。文章介绍了目前宽带放大器的一些研究进展,介绍了射频放大器的设计种类和指标参数,目前常用的实现宽带的方法,并设计制作了一款3-8GHz的输出30W功率放大器。本文首先通过查阅相关的论文资料,整理了近一二十年来国内外对宽带放大器的研究进展和成果,明白了实现宽带功率放大器的意义。通过整理前人的研究成果,分析出当前国内外研究人员对宽带放大器的研究现状和将来在这方面的发展趋势。其次介绍了射频功率放大器的分类和各自的特点。简单的介绍了射频放大器的设计指标和参数,分析各个指标之间的关系和设计原则;简单介绍了阻抗匹配的一些相关知识,分析了阻抗匹配的原理和实现阻抗匹配的不同方法;介绍了射频放大器设计过程中都会用到的微带线理论,分析了采用微带线设计电路时应该需要注意的问题。再次通过查阅相关的文献资料,整理了目前大家设计宽带放大器常用的几种方法,并针对每一种实现宽带方法进行简单的分析。通过对比分析,得到适合本文实现宽带功能的设计方法。最后设计仿真并制作了一款应用频率S-C波段的超宽带功率放大器,输出功率30W。利用ADS软件对放大器芯片进行建模,并采用HFSS软件对键合线模型进行仿真,把HFSS仿真的键合线模型带入到ADS中联合仿真设计。对于宽带匹配问题,设计分别采用多支节开路微带线和渐变微带线的方法。利用ADS仿真设计结果,并将设计结果加工成实物,进行测试。对仿真和实测结果进行比较和分析。论文采用riqunint公司放大器GaN HEMT产品TGF2023-20裸片芯片和ADS软件设计制作了一款应用于3-8GHz的30W宽带功率放大器。设计采用自己建立的放大器模型,并使用键合线连接放大器芯片与外围的偏置和匹配电路,采用多支节开路微带线和渐变微带线的方法实现宽带匹配功能。设计放大器工作在AB类,兼顾效率和线性度。在直流偏置Vgs=-3.4V,Vds-22V,Idq=1.2A条件下,在3-8GHz频率范围内,功率增益达到6±1dB。
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