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二氧化锡(SnO_2)是一种具有直接带隙的宽禁带N型半导体材料,300K时其禁带宽度为3.62eV,室温下电阻率较高,当产生氧空位或掺杂元素后形成N型半导体,具有导电性能。锑掺杂二氧化锡(Antimony doped Tin Oxide, ATO)作为透明导电薄膜由于具有优良的导电性能、光学性能、稳定性好和灵敏度高等优点,广泛应于太阳能电池、电致变色材料、防辐射抗静电材料、气敏元件、电极材料等方面。以SnCl_4·5H_2O和SbCl_3为主要原料,采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了