作为功率开关,VDMOS器件以其高开关速度、高耐压、低导通电阻、宽安全工作区以及很好的热稳定性等特点,广泛地应用于开关电源、汽车电子、马达驱动、节能灯等功率集成电路和功率集成系统中,因此VDMOS在电力电子的应用中占有举足轻重的作用,对VDMOS器件的物理特性及电学特性研究与建模有着重要的学术意义和实际应用价值。VDMOS器件在核辐照和空间辐照环境中大量应用,对其辐照效应的研究及辐照环境下的电学特性研究、建模及应用有着重要的意义。本文研究和建立了VDMOS等效电路模型和加入辐照效应后的等效电路模型。首先,基于VDMOS的物理结构和寄生效应对VDMOS电学性能影响,建立了VDMOS等效电路模型,利用PSpice软件中的Model Editor程序提取了VDMOS等效电路模型参数。所建立的模型能够进行直流分析和瞬态分析,能够仿真实际VDMOS器件的电学特性。并建立VDMOS等效电路子电路模型,可以方便应用于电力电子电路CAD设计之中,满足工程应用的需要。其次,对VDMOS器件的辐照特性进行了分析,对其各类辐照效应进行了研究,基于总剂量辐照对MOS器件的电学参数的影响,建立VDMOS总剂量辐照等效电路模型,同时该模型也包含不同剂量率的影响。该电路模型嵌入PSpice中用于模拟VDMOS的辐照特性,并将其应用于简单的开关电源中,研究了VDMOS总剂量辐照效应对整个电路的影响。本论文研究结果可以方便地用于辐照环境下电力电子电路CAD设计与应用之中,对其电路的优化及抗辐照研究有着重要的意义。