4H-SiC PiN结同位素电池的研究

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【摘要】

：

碳化硅材料具有禁带宽度大,抗辐照能力强等特点,利用其制备的PiN同位素电池具有输出电压高,抗干扰能力强,受外界温度、压力、电磁场等影响小,可长期稳定工作等优点,有着广泛的应用前景。本文针对基于碳化硅PiN二极管结构的同位素电池进行了研究,主要研究成果如下:一、使用蒙特卡罗软件MCNP模拟单能电子在金属中能量淀积情况,证明了金属对β射线具有很强的阻挡能力,在此基础上设计了5种不同形状的电极;模拟Ni

【作者】

：

石彦强

【机构】

：

西安电子科技大学

【发表日期】

：

2011年05期

【关键词】

：

碳化硅PiN二极管同位素电池核电池 β射线辐射伏特效应

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