LPCVD技术制备的BZO薄膜及其在非晶硅薄膜太阳能电池中的应用

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【摘要】

：

ZnO是一种N型宽带直接带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,有优异的压电、光电、压敏等特性,且电导率和透过率高,具有和ITO相媲美的电学、光学性能,原材料丰富且无毒,这使得ZnO薄膜能应用于平板显示器电极、气体传感器、太阳能电池等方面,并引起了广泛的关注和研究。为了优化ZnO的综合性能,加快其产业化,应用到太阳能电池中以提高其效率和稳定性,本文主要利用低压化学气相沉积技术(LPCVD),

【作者】

：

朱登华

【机构】

：

南昌大学

【发表日期】

：

2015年05期

【关键词】

：

ZnO薄膜低压化学气相沉积技术透明导电氧化物 B掺杂ZnO 非晶硅柔性透明太阳能电池

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