在具有钙钛矿结构的稀土锰氧化物中由于发现了庞磁电阻(简称CMR)效应，从而成为近年来国际上的热点研究课题，这是因为它在磁传感器件中具有巨大的应用潜力，同时这类材料还包含着深刻的物理内涵。这类材料通常只有在高达几个特斯拉的磁场下才能出现CMR效应，而且使用温度也很低。因此，减小使用的磁场量级和提高室温下的CMR效应成为研究的焦点。近年来研究工作主要集中于元素掺杂和材料复合，利用自旋相关输运特性，以提高材料的低场磁电阻和室温磁电阻。 　　本论文主要分为CMR材料的实验研究及理论研究两部分。实验研究部分，以La<,0.7>Ca<,0.3>MnO<,3>为研究母体，主要研究不同掺杂元素(Cu与V)及不同掺杂比例对材料磁、电特性的影响。 　　对于Cu掺杂，实验发现：随着掺杂量的增加，材料的磁电特性发生了相当大的变化，由低掺杂时电阻率随温度的变化呈现金属一绝缘相转变，变化为在整个测温范围内只出现绝缘相行为；相应的磁电阻也由低掺杂时同时存在逾渗磁电阻与隧道磁电阻，到在整个测温范围内只存在隧道磁电阻的转变。对于V掺杂，实验研究发现：v元素的掺入使系统得到较大的磁电阻。掺杂系统的电特性表现为：随着掺杂量的增加，样品电阻率随温度的变化关系由较低掺杂时具有明显双电阻率峰结构转变为单电阻率峰结构。实验同时也发现了掺杂系统的转变温度随掺杂量的增加依次向低温区偏移。在这部分中同时对以上实验结果做了分析。 　　理论研究部分，基于双层次物理模型，利用Monte Carlo模拟技术对磁电阻效应产生的机理从理论上给出一定分析，采用数值模拟的办法研究了不同外场下逾渗磁磁电阻和隧穿磁电阻随温度的变化。模拟结果较好地解释了实验中观察到的磁电阻现象。