对于芯片的划片工艺使用的刀具，现在使用的最多的是金刚石超薄切割片。对于此类的刀具，所需要达到的条件包括需要具备相当的精度、稳定性和高切割效率。我国在超薄切割片的研制方面还不充分，大部分产品还需要从外国进口。面对这种现象，本文以制备合格超薄金刚石切割片为目标，对电镀复合沉积法制备超薄金刚石切割片的工艺技术进行了研究。本文中对于超薄金刚石切割片的研究主要集中在制造工艺的研究，包括电镀溶液配方、电镀工艺等。通过多组对比试验，以单位面积上的金刚石颗粒数为参考量，对镀液中金刚石含量、阴极电流密度、搅拌方式以及基体放置方式等工艺性能参数进行了对比分析，最终得到了最优的工艺参数。按照分析得到的最优工艺参数进行电镀复合沉积镀层的制备，将镀层从基体上剥离后，经后加工制成超薄金刚石切割片，厚度为80μm，并在机床上进行切割玻璃钢的试验，最终确定得到的金刚石超薄切割片的性能符合要求。制备的金刚石超薄切割片的性能检测，是在划片机床上进行的。切割片在进行切割试验后，切割片没有出现翘曲和开裂等现象，并通过对切割出的切槽进行分析，可以看出切槽的表面平整，有极少量的毛刺，达到了需求的要求。本文中所得到的试验结果证明，按照所得的优化参数，利用电镀法得到的金刚石-镍钴复合镀层是可以用来切割单晶硅的，这种方法是真实可行的。