随着微电子工业的发展,对于材料和器件的质量有了更高的要求,对少子寿命的测量也更加重视起来。少子寿命是半导体材料和器件的一个重要参数,对半导体器件的正向压降、开关速度以及发光二极管的发光效率都有影响。因此,准确地测得这个参数,对于半导体器件制造等行业具有重要意义。少子寿命的测试方法有很多种,包括直流光电导衰减法、准稳态光电导衰减法、高频光电导衰减法和微波反射光电导衰减法等,文章通过对几种具有代表性的测量少子寿命的方法进行对比分析,最终认为高频光电导衰减法最适合实验室研究。其优点是对样品的几何尺寸要求不高,在测量时不必制作欧姆电极,可以非接触、无损的测量样品少子寿命,样品较少受到污染。本文重点介绍了高频光电导衰减法少子寿命测试系统。测试系统包括模拟电路部分和单片机部分。模拟部分电路包括20MHz高频源发生电路,功率放大电路,检波电路。单片机选用PIC16F877单片机为核心,主要负责信号的采集,数据分析和数据输出。其中用到了MSSP模块的SPI工作模式和I2C工作模式,CCP模块的输入捕捉工作模式和脉宽调制输出工作模式等。系统软件设计以MPLAB IDE v8.10为开发平台,采用C语言进行了编程。所设计的高频源电路可以产生20MHz正弦波,正弦波经过功率放大器最高峰峰值可达±5V左右,单片机程序调试通过,最终制作了PCB版。通过测试与调试,可以产生20MHz,峰值为±2.5V的正弦波,基本达到设计要求。由于高频源对整体电路的影响波形不稳定。改进方法是把高频源部分单独做成一块电路板并用金属密封。