利用原位高压同步辐射X射线衍射和高压下原位电性质测量，本论文进行了V-VI 族化合物拓扑绝缘体材料Bi2Te3、Sb2Te3和Bi2Se3 高压下结构相变和性质研究，同时也进行了类似结构化合物BiTe 高压下的结构相变研究。主要研究内容包括：　　 一、我们利用室温和低温高压同步辐射衍射，研究了Bi2Te3 在高压下的结构相变，得到了完整的相图，并且发现了其高压的第IV 相，得到其结构为体心立方固溶体合金相。通过常压相和第IV 相的同步辐射谱Reitveld 精修得到了这两个结构的晶格参数和体积，并用状态方程对压力下的体积变化进行了拟合，得到常压相的弹性模量为35GPa，第IV 相的弹性模量为51GPa。低温下8K 时常压相到10GPa 仍未发生相变，而在45K 时8GPa 下全部变为第II 相。相同压力下的低温的体弹模量比常温下稍小。对其高压下的电阻研究，发现在载流子浓度较低的p 型和n 型样品中常压结构相均存在电子结构相变，p 型样品从半导体相转变为半金属相，而n 型样品从半导体相转变为金属相，两种载流子类型的样品在电子结构相变前后均超导。我们通过对高压结构的第一性原理计算研究了这两个超导相的拓扑性，p 型样品的两个超导相均保留拓扑性，而n 型样品只有第一个超导相存在拓扑性，在第二个超导相中表面态被推入体态中，拓扑性消失。我们讨论了几个存在拓扑性的超导态可能为类似3He-B 相的拓扑超导体。在在更高的压力下，我们证实了第II 相和第III 相的超导性，并发现第IV 相的超导性。　　 二、我们使用高压同步辐射的手段，发现了Sb2Te3 在高压下的多个结构相变，并首次得到了Sb2Te3 在高压下的温度压力相图。通过对其高压下电阻的研究，发现Sb2Te3的常压相结构在6GPa 附近有一个电子结构相变，半导体相在相变后成为半金属相，电子结构相变前后的两个电子相均超导，存在两个超导相。　　 在更高的压力下电阻的研究，我们发现Sb2Te3的所有相均超导，超导临界温度和电阻随压力的变化，也可以得到低温下的相关系，与从同步辐射得到的结果一致，从电性质方面证实了高压下的相图。　　 三、研究了Bi2Se3 在高压下同步辐射衍射，发现Bi2Se3 在12GPa 处发生一个结构相变，从常压相结构转变到高压相，在更高的压力下直至30GPa 没有发生其它结构相变。对其常压相结构高压下的电阻研究发现，常压相在5GPa到6.6GPa之间存在一个绝缘体—金属相变，不同温度下的相变压力不同，相变压力随温度的升高而增加。　　 四、我们研究了与Bi2Te3 有相同元素组成和类似结构的化合物BiTe 在高压下的结构相变，得到了其在室温下的高压相图，同时发现了其高压下的第IV 相也为体心立方相，说明Bi2Te3 在高压下体心立方相可以存在。