随着太赫兹辐射源和探测器的迅速发展,太赫兹波功能器件的应用研究得到了广泛的重视。本文主要进行了基于光电导效应的太赫兹波透射特性实验研究,并提出了基于半导体高阻硅材料的太赫兹波开关方案。半导体材料在光照下产生的光电导效应直接影响了材料对太赫兹波的吸收特性。本文对光生载流子浓度的变化过程和少数载流子寿命的机理进行了理论分析。通过对不同少数载流子寿命不同半导体材料的太赫兹波透射性实验比较,综合考虑太赫兹波开关响应速率和调幅效果,从而初步确定基于高阻硅材料的开关方案。并对高阻硅材料进行少数载流子寿命降低方案的探索,通过高温热处理等手段掺杂金属铜离子,成功将其少数载流子寿命降至0.7μs左右。本文最后结合高阻硅材料的光电导效应与太赫兹功能器件特点,组建了大功率高速光路系统以满足高速开关的要求,结合返波管系统组建成开关性能测量平台,最终实现了响应速率1 MHz以上,调幅深度25%左右的光电导太赫兹波开关原理器件。