ITO玻璃衬底上PLZT铁电薄膜的制备与性能研究

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【摘要】

：

近年来,PLZT铁电薄膜制备方法与应用研究引人注目。早期制备陶瓷薄膜主要采用真空镀膜技术如等离子溅射法,但真空技术由于化学计量比较难以控制并且制备参数复杂,影响了成膜质量。溶胶一凝胶法与其它方法相比,具有化学计量比精确、均匀性好、易于掺杂改性、退火温度较低、成本低等优点,成为目前PLZT铁电薄膜制备最常用的方法之一. 本工作采用溶胶一凝胶法和快速退火工艺在掺Sn的In2O3 导电透明膜(ITO)

【作者】

：

刘国营

【机构】

：

华中科技大学

【发表日期】

：

2005年06期

【关键词】

：

PLZT铁电薄膜掺Sn氧化铟溶胶-凝胶法电学性质

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