在未来超长距离的光纤传输系统中，具有低衰减、高稳定性的单模光纤是必不可少的。本文所讨论的纯硅芯单模光纤就具有上面的特点。对于传统石英系光纤，由于芯层中掺入GeO2等金属氧化物而使瑞利散射损耗增加；同时，氧化物的掺入破坏了光纤在氢元素和γ-射线辐射环境中的化学稳定性。纯硅芯单模光纤由于在芯层中没有掺杂，因此具有很好的化学稳定性。由理论和实验表明，光纤中的损耗主要来自于光纤材料的瑞利敞射损耗和吸收损耗两个部分。其中吸收损耗由紫外吸收、红外吸收和氢氧根离子吸收损耗构成。瑞利敞射损耗是由光纤材料中不可避免的随机密度或浓度波动引起的。在光纤的制造工艺中存在着许多引入损耗的因素。通过对多种制造的比较，以及对纯硅芯单模光纤其结构特点的分析，总结了适用于纯硅芯光纤的制造工艺。在前面理论分析的基础上，分析了纯硅芯光纤的瑞利散射损耗特性，得到了光纤结构参数芯径和相对折射率差与瑞利散射损耗的关系。分析表明，单模光纤的瑞利散射损耗与功率限制因子密切相关，在纯硅芯单模光纤中的瑞利散射损耗主要由芯径大小决定。通过对实际拉制的纯硅芯光纤的测试，证明了这种方法是具有明显效果的。论文的这个结论对于纯硅芯光纤的设计和制造具有指导意义。