目的:已知恶性胶质瘤是临床最常见的原发性脑肿瘤,放疗是恶性胶质瘤最主要的治疗手段之一,但是疗效还不理想。已有研究发现肿瘤干细胞是胶质瘤耐放射的重要原因。同时胶质瘤间质的宿主细胞可被胶质瘤干/祖细胞诱导恶变,这些诱导恶变间质细胞是否与胶质瘤干/祖细胞一样高度耐辐射目前尚不清楚,本研究目的在于探讨这些诱导恶变细胞对辐射的敏感性及其分子机制,以探索可能的分子干预手段。方法:连续多次辐射诱导,筛选建立比胶质瘤干/祖细胞SU3更加耐辐射的SU3-5R细胞;通过CCK-8法测定各细胞株体外生长曲线,比较各细胞株生长增殖情况;分别将SU3、SU3-5R及SU3诱导恶变的宿主间质细胞ih BTC2辐射,计算其克隆形成率,通过放射剂量-存活曲线以及SF2值比较各细胞株对射线的敏感性差异;荧光定量PCR检测各细胞株辐射后Notch1 m RNA及Hes1 m RNA的表达水平;Western blot检测ih BTC2细胞Notch信号通路下游辐射相关蛋白Bcl-2及p Akt表达水平。台盼蓝细胞染色法、化学发光法、流式法分析ih BTC2的凋亡情况。结果:胶质瘤间质恶变细胞ih BTC2比胶质瘤干/祖细胞SU3、耐辐射细胞SU3-5R更加耐辐射,受照射后Notch1、p Akt、Bcl-2表达水平均有不同程度的升高,采用γ-分泌酶抑制剂(GSIs)阻断Notch信号通路能够提高其对辐射的敏感性。结论:被胶质瘤干/祖细胞诱导恶变的微环境细胞比胶质瘤干/祖细胞本身对辐射更加抵抗。这种辐射抵抗可能是通过Notch通路调控,γ-分泌酶抑制剂(GSIs)通过阻断Notch通路可提高该细胞的辐射敏感性。