为了降低特征尺寸、解决互连延迟等问题，三维集成技术开始成为封装领域的研究热点，其中TSV技术是其中的主流，也被誉为第四代封装技术。在TSV技术中，硅孔的填充质量将直接影响到三维封装芯片的性能。本文从TSV电镀技术入手，阐述了电镀工艺以及电镀生长机理，探究了不同的工艺参数以及镀液工况对盲孔保形电镀的影响，并提出了一种新型的自底向上电镀工艺，实现了硅盲孔中自底向上生长和无孔隙填充。本文主要研究内容如下：（1）分析了盲孔保形电镀技术，并对比了三种润湿方式对电镀质量的影响，同时研究了电镀液工况对电镀质量的影响。进而掌握缺陷产生的机理，优化电镀工艺参数、改进盲孔保形电镀效果。（2）研究了盲孔保形电镀在不同时段下盲孔内部的填充效果，从而确定其生长机理。同时，对比了不同电流密度时，盲孔电镀效果的差异性。电流密度的增加，可以加快金属沉积速率、降低电镀工艺时间，但也容易产生缺陷、加厚表面过镀层。（3）提出了以阻挡层金属作为导电介质来进行电镀实验的工艺；改进了匀胶工艺，使光刻胶能完全填充硅盲孔。在此基础上，提出了一种新型的自底向上电镀填充工艺，实现了硅盲孔内金属的自底向上生长和无孔隙填充。本文研究了硅盲孔电镀的工艺参数并提出了一种新型的自底向上填充工艺，为后续的电镀起了指导；掌握了电镀缺陷产生的机理，为后续的缺陷检测做了铺垫。