钙钛矿MAPbBr_3和黄铜矿ZnSiP_2单晶薄膜的液相外延生长及光电性能研究

来源 :山东大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tq19822002
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随着半导体在太阳能电池、光催化、光电探测器、X射线探测器以及固体激光器领域的不断发展,已有的Si、Ge元素半导体以及GaAs、InP等Ⅲ-Ⅴ族和CdTe、ZnSe等Ⅱ-Ⅳ族二元化合物半导体的帯隙、载流子迁移率、寿命、电阻率等物理性能已经难以满足,因此探索新型的三组元半导体材料以及制备对应的单晶薄膜在拓展半导体性能和应用方面具有重要的意义。近年来由于金属卤族钙钛矿材料大的载流子迁移率、低的缺陷密度以及易调控的光电性质,在光电探测器、发光二极管、太阳能电池和核辐射探测器等领域展现出了卓越的性能,受到了海
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