【摘 要】
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随着集成电路技术的快速发展,传统CMOS晶体管在尺寸缩减中遇到了短沟道效应等一些问题,而FinFET作为一种新型器件被提出,为解决短沟道效应等问题提供了有效的途径。本文主要分析了几种优化后的施密特触发器电路,将施密特触发器电路应用到SRAM中,设计了一种基于施密特触发器的10T SRAM单元电路,最后又提出了一种优化后基于FinFET的施密特触发器电路,并将其应用到SRAM中,设计出一种新型基于F
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随着集成电路技术的快速发展,传统CMOS晶体管在尺寸缩减中遇到了短沟道效应等一些问题,而FinFET作为一种新型器件被提出,为解决短沟道效应等问题提供了有效的途径。本文主要分析了几种优化后的施密特触发器电路,将施密特触发器电路应用到SRAM中,设计了一种基于施密特触发器的10T SRAM单元电路,最后又提出了一种优化后基于FinFET的施密特触发器电路,并将其应用到SRAM中,设计出一种新型基于FinFET的11T SRAM单元电路。通过对基于CMOS传统的施密特触发器电路的分析及仿真测试,能够发现其在延迟和抗噪声方面的不佳表现,从而提出几种优化的施密特触发器电路设计,并进行了具体分析。将施密特触发器应用到SRAM中,设计出了基于施密特触发器的10T SRAM单元电路,并对所设计电路多种性能进行HSPICE仿真模拟,结果表明在写裕度、延迟、功耗、漏电流及保持噪声容限方面的性能参数都优于CMOS 6T SRAM的单元电路。用FinFET器件代替传统MOS管构成基于FinFET的施密特触发器电路,在此基础上添加了一个睡眠晶体管,从而提出一种优化的基于FinFET的施密特触发器电路,将其应用到SRAM中设计出一种新型基于FinFET的11T SRAM单元电路,经过仿真测试表明除了保持噪声容限略低于传统的ST10T SRAM单元电路以外,在功耗、平均延迟、漏电流、写裕度以及读噪声容限方面都比传统ST10T SRAM单元电路优越,从而体现出优化后的施密特触发器电路在SRAM中应用的实际意义。图[86]表[7]参[32]
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