论文部分内容阅读
石墨烯是一种由碳原子以sp2杂化堆积而成的二维蜂窝状晶格材料,具有优良的物理性能和广泛的应用前景,已经引起了人们的极大关注。目前,高质量、层数可控的大面积石墨烯的制备仍是阻碍其实际应用的重要障碍。现在石墨烯的制备方法取得了很大发展,但在实际应用中,大部分方法都需要将石墨烯转移到绝缘衬底上才能够进行器件的制备和研究。因此直接在绝缘衬底上生长制备大面积、高质量的石墨烯成为人们现在面临的一大挑战。为了解决这个问题,我们利用化学气相沉积(CVD)的方法,分别在金刚石衬底、二氧化硅(Si O2/Si)衬底上直