单片低噪声放大器作为微波单片集成电路的重要部分，广泛应用于航天、雷达、微波通信、电子对抗、卫星和GPS接收机等接收系统内。现阶段射频接收系统对宽带低噪声放大器的各方面性能指标越来越严格，特别是芯片功耗和尺寸方面，降低芯片的功耗有助于减少收发系统的能量消耗，延长系统的使用时间；缩小芯片的尺寸有助于提高芯片的集成度，缩小接收系统的尺寸。　　论文在分析射频前端低噪声放大器的外延材料、制备工艺、有源无源器件、微波单片集成电路的优缺点等方面基础上，深入研究了基于pHEMT工艺的低噪声放大器的设计，通过分析晶体管管芯的特性，有针对性地形成了若干减少芯片整体功耗、降低噪声系数及改善增益平坦度等指标的设计技术，实际研制了一款具有两级拓扑结构的高鲁棒性、低功耗、紧凑型单片低噪声放大器，并对加工出来的芯片进行测试评估，最后的测试结果表明所研制的低噪声放大器是切实可行的。　　论文研制的宽带低噪声放大器工作频段为2~8 GHz，段内芯片稳定性良好，噪声系数小于1.1 dB，增益大于24 dB，增益平坦度小于±0.5 dB，输入驻波比小于2.2，输出驻波比小于1.4，芯片漏极总电流仅为12 mA，芯片整体功耗约为60 mW，约为其它相同工作频段芯片功耗的三分之一，整体达到了设计的指标。