低维碳纳米材料具有大的表面积和良好的导电性,通常被用作电极材料。量子点由于自身表面缺陷存在,光激发产生的电子空穴对很快在其表面重新复合。本论文以三乙醇胺作为络合剂,通过低温燃烧法分别合成了C镶嵌ZnO和CdSe量子点杂化纳米材料。ZnO和CdSe量子点在光照下产生的光生空穴在自建电场作用下很容易转移到碳上,实现了与光生电子-空穴对的有效分离。在此基础上,分别对ZnO/C及CdSe/C杂化纳米材料进行物相、形貌以及结构表征以及对基于其组装的器件在电输运、光电及压阻性能进行了研究。主要结果如下:1、SEM扫描分析结果表明ZnO/C杂化纳米结构多为片状结构,CdSe/C多为带状结构。高分辨透射电镜下可以看到ZnO以及CdSe量子点都均匀镶嵌在碳纳米材料中,与其在原子层面上形成良好杂化结构。2、电输运实验结果表明ZnO/C及CdSe/C杂化纳米材料均为P型半导体材料,计算得知ZnO/C杂化纳米片的载流子迁移率为924.7 cm2V-1S-1,空穴浓度为2.192*1014 cm-3;CdSe/C杂化纳米带的载流子迁移率为2.719*103 cm2V-1S-1,空穴浓度为2.197*1014 cm-3。3、光电实验结果表明ZnO/C杂化纳米片光电探测器在其本征带隙边缘及近红外光都有明显光谱响应,之后测得其在高强度980 nm红外光照射时或者器件升温到30°C均可出现电流急剧减小至几乎不导通状态,并测得其热敏性系数高达-54440。最后将其组装成压阻器并进行性能测试,结果表明其具有很高的压阻重复性以及灵敏性,并测得其在最大压应变量和张应变量下,前后阻值比分别高达1:22和8:1。此外,在张应力作用下,压阻器具有一定存储性能。4、对基于CdSe/C杂化纳米带组装的光电探测器进行光电探测,结果表明其在200~900 nm范围内都有明显的响应,尤其在840 nm以及890 nm处出现了非常强的光谱响应。