【摘 要】
：
该文利于离子注入技术,开展了庆大霉素产生菌-棘孢小单孢菌的诱变育种工作.首先对这种新的诱变源的有效剂量进行了研究,积累了一些数据,结果表明:最佳注入剂量在0.8×10~2.4
论文部分内容阅读
该文利于离子注入技术,开展了庆大霉素产生菌-棘孢小单孢菌的诱变育种工作.首先对这种新的诱变源的有效剂量进行了研究,积累了一些数据,结果表明:最佳注入剂量在0.8×10<16>~2.4×10<16>ion/cm<2>之间.就注入环境对GM产生菌的影响作了探讨,发现在所选剂量范围内,真空、温度效应均不大,诱变结果是离子注入直接作用的结果.此外,离子注入作物种子的结果一致.该文对突变菌株进行了育种、发酵,以检验诱变效果.生测结果显示:离子注入后菌种的产抗时间普遍提前,发酵88hr时效价比对照最大高出34﹪.离子注入是一种强劲有效的诱变方法,即便对胞壁结构复杂、对其它诱变源抗性较强的GM产生菌,仍能在1~2次诱变后较大地提高其产量,叠加诱变后菌种后菌种产量提高17.3﹪,并由遗传稳定性上判断,高产变异是基因突变的结果.
其他文献
随着半导体激光二极管的发展，全固态激光成为当今固体激光技术发展的主流。全固态激光在朝着高功率大能量强激光发展的同时，也在朝着中小功率高度集成的微型激光发展。Yb和Nd晶
表面微区限制既可以控制低维材料的生长位置,也可以通过自融合生长等途径干涉并影响低维结构形貌及结晶状态。在本文中,我们利用多种微区限制方法对ZnO结构在不同尺寸及结晶状态下的融合生长进行研究,完善微区限制下融合生长的系统知识,并对相应结构的发光特性、电学特性进行研究,拟为位置可控的低维结构器件化打下基础。首先我们采用磁控溅射法在Si衬底上预先修饰一层ZnO籽晶层,探讨了不同溅射条件,包括改变衬底温度
本文主要对Bi2-xGdxSe3拓扑绝缘体单晶样品的结构以及磁性的探究。 利用改善的布里奇曼方法制备Bi2-xGdxSe3单晶样品，发现最高温度控制在850℃制备Bi2Se3样品效果最佳，而制
表面等离激元(Surface Plasmon Polariton，SPP)是纳米尺度将物质的光学和电学性质相互结合的新兴研究方向。近期已有大量基于表面等离激元原理的新型光电纳米器件和纳米结构被
近年来，随着光刻等实验技术的发展，人们已经能够实现在纳米尺度，乃至单粒子水平的量子态操纵，如单原子，单光子。单量子层面的操纵对实现量子计算机和量子信息处理具有非常重要的意
纳米孔作为一种对单分子聚合物的分析表征和测试手段近年来得到研究人员的广泛关注，尤其是作为第三代快速低成本测序技术用于DNA测序领域更激发了人们的研究热情。纳米孔的研
在受控热核聚变研究中，中子参数测量是诊断聚变反应过程特性的主要手段之一，其诊断技术和物理研究已经成为国际相关领域研究的热点和前沿课题。中子诊断可以直接度量聚变装置的
在北京谱仪Ⅲ实验上，事例起始时间重建是事例重建的第一步。本文介绍了该实验上事例起始时间重建算法的改进和重建效率的研究。算法经过改进，重建效率提升，误判率降低。开发了一
板状构件计算机层析成像(Computed Laminography，CL)是一种全新的检测板状构件内部结构和缺陷的成像方法。该方法利用微焦点X射线源及平板探测器搭建的非同轴扫描系统，可对板状
石墨烯是由碳原子Sp2杂化组成的单原子层二维蜂窝网状结构。自2004年第一次制备成功以来,石墨烯引起了科学家们极大的研究兴趣。由于其超高的载流子迁移率和出众的物理特性,石墨烯在电子应用方面被当作是一种极具发展前途的新材料。石墨烯的制备方法包括机械剥离、热分解SiC、化学气相沉积(CVD)等。其中,通过CVD方法制备大面积、高质量石墨烯在电子器件应用方面有很大潜力。但是,在将石墨烯应用于器件中时,通