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相变存储材料由于其在数据存储领域的应用潜力，受到了人们的广泛关注。在本论文中，我们通过单棍甩带法和低温共沉淀法分别制备了mGeTe·nSb2Te3相变材料薄片和GeTe粉末，并系统的研究了mGeTe·nSb2Te3相变材料电场极性诱导的可逆阻变现象。主要研究如下: 通过甩带法制备了mGeTe·nSb2Te3相变材料，并系统地研究了mGeTe·nSb2Te3相变存储材料中电场极性诱导的可逆阻变现象。结果表明:mGeTe·nSb2Te3相变材料在不发生相变时，在不同极性电场的诱导下其电阻也能发生高低阻态之间的可逆的切换。进一步研究表明，Sb原子在这个过程中起到了至关重要的作用。在对mGeTe·nSb2Te3样品进行I-V特性测试时，组分中含有Sb原子的Ge2Sb2Te5、Ge1Sb4Te7、 Sb2Te3样品在不同极性电场的诱导下其电阻都能实现高低阻态之间的可逆切换。在组分中不含有Sb原子的GeTe合金的I-V特性测试测试中，我们没有发现这个现象。 采用低温共沉淀法制备了GeTe材料。并运用X射线衍射技术(XRD)、差示扫描量热分析技术(DSC)、扫描电子显微技术(SEM)和能谱分析(EDS)等手段对GeTe微晶的结构、形貌、组成以及其形成机理进行了分析。系统地研究了NaBH4∶(GeO2+TeO2)摩尔比、GeO2∶TeO2摩尔比、热处理温度等因素对GeTe合成的影响。