近年来,随着石墨烯的发现,二维材料也开始蓬勃发展。其中过渡族金属硫属化物作为二维材料家族的重要成员,因其优异的性能引起了材料学领域的广泛关注。二硫化钼作为一种典型的过渡族金属硫属化物,具有许多奇特的物理特性,研究表明单层二硫化钼为直接带隙,带隙宽度在1.80 eV左右,其在晶体管、光电探测器、光伏电池等方面具有极大的应用前景,是构筑下一代电子学、光电子学器件的理想材料。作为一种发现相对较早的二维材料,二硫化钼的可控生长已经取得了很大的进展。但是在构筑光电子学器件过程中如何提高金属接触性仍存在很多问题。为此本论文围绕如何提高金属与二维材料的接触性开展了系统的研究工作。（1）本论文利用化学气相沉积法,使用两温区管式炉,以S粉为硫源,MoO₃粉为钼源,Si/SiO₂（300 nm）为生长基底,氩气为载运气体制备了MoS₂/MoO₂异质结构。论文对MoS₂/MoO₂异质结构的生长条件进行系统研究,结果表明通过优化实验条件可以制备出大量的MoS₂/MoO₂异质结构并对其进行一系列表征。（2）实验过程中构筑有关二硫化钼的三种不同器件:单独的三角形二硫化钼器件、电极一端接在二氧化钼上MoS₂/MoO₂异质结构器件、两端均以二氧化钼为电极MoS₂/MoO₂异质结构器件。通过测量发现原位生长的二氧化钼作为电极可以在一定程度上改善电极于样品的接触性,提高迁移率。提出了一种通过原位生长电极的方式改善金属接触的新方法。另外测试了温度和光照对电极一端接在二氧化钼上MoS₂/MoO₂异质结构器件电学性能的影响。随着温度增加,场效应晶体管电流和迁移率均变大。光照下光电流变大,而且随着波长变短响应电流变大,响应率变大。