氧化锌(ZnO)是一种宽带隙半导体材料，有着广泛的应用前景。然而，由于p 型ZnO材料难以获得，使得ZnO的应用范围受到很大限制。因此，如何制备 p型ZnO是一个备受关注的重要课题。本文在充分调研国内外相关研究现状的基础上，比较系统地对ZnO的p型掺杂问题进行了理论研究。 基于密度泛函理论，本文采用第一性原理赝势方法主要研究了以下问题： 首先从氧化锌的结构入手，分析其晶格和电子结构特点，然后介绍了基于密度泛函理论的第一性原理，这是目前在材料科学中广泛应用的一种方法，并重点介绍了赝势理论；接着详细研究了氧化锌的各种本征缺陷，并根据研究结果指出过量的锌所导致的锌填隙和氧空位是 n 型导电性的主要来源；随后主要对氮掺杂氧化锌进行了详细的研究，并指出氮是 p 型掺杂的最佳备选元素，可是氮掺杂需要在富锌条件下进行，因为在富锌条件下它的形成能最小，这就面临一个难以抉择的困难：富锌条件能使氮掺杂的形成能最小，有利于提高氮在氧化锌中的浓度，但同时富锌条件也有助于形成 n 型导电，它会对 p 型掺杂形成补偿作用，削弱 p型掺杂的效果。文章同时也对共掺模型进行了研究，但研究结果对 p 型掺杂未有明显改进。在文章的后面部分提出了氮氢共掺模型，这一模型明显不同于其它模型，它的特别之处是让氢原子占据间隙位，氮原子占据氧位，其形成能很小，且比单独用氮掺杂小得多。这一模型有助于阻止锌原子对间隙位的占据，能有效地削弱施主缺陷对受主的补偿，并且就本文的各种模型来看，这是最有效的 p 型掺杂模型。文章最后对氧化锌的应用前景进行了展望。