TiO2压敏陶瓷是一种新型的半导体双功能元件，具有压敏电压低、非线性系数大，介电常数高等许多突出的优点，广泛用于低压领域中作为过电压保护和浪涌吸收元件。本文从TiO2压敏陶瓷的发展历史、研究现状出发、综述了目前的市场前景和发展趋势，对TiO2压敏-电容双功能低压压敏陶瓷的性能及工艺研究进行了初步的探索，进一步研究了表面层对TiO2压敏陶瓷电学性能的影响，得到了较好的实验结果。(1) (Nb，Sr)掺杂的TiO2压敏陶瓷其压敏电压V1mA为7～22 V／mm，非线性系数α为3～4，漏电流IL约为0． 4mA，相对介电常数εr>104，介电损耗tanδ约为0． 5。(2) 用溶胶-凝胶法和电子陶瓷工艺相结合制备的(Nb，Sr)掺杂的TiO2压敏电阻，V1mA=8． 4V／mm，α=3． 4，IL=0． 3 8mA，εr>104，tanδ=0． 78，并且具有较高的致密度。(3) 稀土La掺杂的TiO2压敏电阻可使材料的综合性能得到很好的改善，其典型的性能指标为：V1 mA=8． 5V／mm，α=5． 5，IL=0． 20mA，εr=8． 30×104，tanδ=0． 53。(4) 在大气气氛下一次直接烧结法制备的TiO2压敏陶瓷，其压敏电压易受表面氧化层的影响，表面氧化层主要存在于样品表面30μm以内。随样品厚度的减少，V 1mA从27～38V／mm降至8～15V／mm，但非线性系数、漏电流与介电常数受表面层的影响甚微，进一步表明了TiO2压敏陶瓷的非欧姆特性是一种体效应。(5) 用一次直接烧结法制备TiO2压敏电阻，以1280℃烧结2小时的性能较佳，晶粒生长较充分，晶粒分布较均匀，平均粒径在4． 5μm左右，晶界层较薄且均匀地包裹在晶粒周围。能谱分析表明：受主杂质主要偏析于晶界，这有利于形成具有良好压敏电阻特性的晶界势垒。在大气气氛下烧结TiO2压敏电阻，晶粒半导化较充分，无需特殊的还原气氛，在104Hz频率下测得晶粒电阻率约为20Ω·m。(6) 对压敏电阻元件的压敏电压随晶粒电阻率和晶界电阻率的变化，以及压敏电压和介电常数随晶粒尺寸的变化规律进行了简单模拟分析，与实验结果基本一致。