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铁电存储器具有低功耗、高读写速度、抗辐射性能好及非易失性等优点,是当前最被看好的几类新型存储器技术之一。长期以来,由于采用传统钙钛矿铁电薄膜的1T-1C型铁电存储器中铁电薄膜厚度较大,且存储单元面积大,存储容量低,越来越难以满足应用要求。近年来,随着氧化铪基铁电薄膜的发展,与CMOS兼容的1T型铁电存储器成为了研究热点,有望突破铁电存储器容量限制瓶颈。本文围绕基于氧化铪薄膜材料的铁电晶体管核心部件铁电栅结构展开研究,具体研究内容如下:(1)为研究MFIS铁电栅中绝缘层对铁电薄膜性能的影响,采用射频磁