光电器件在民用和军事领域都有着广泛的应用。目前,商业化的光电器件主要采用无机材料,但它们的生产成本高昂,加工工艺复杂,不利于大规模生产。相比之下,有机半导体材料则具有加工性能优异、成本低廉、可大面积制作等优点,但电子迁移率低,稳定性差。单纯的有机或无机的半导体材料虽然有各自的优点,但都存在其自身的不足,从而限制了它们的应用范围。有机/无机半导体异质结正是顺应这样的发展需求,充分利用有机组分优异的加工性能和无机组分高效的载流子迁移能力的优点,通过复合还可以产生一些新的优良性能。有机/无机半导体异质结由于具有特殊的光、电、磁性能,近年来引起了国内外学者的极大兴趣和广泛关注。本论文在评述有机/无机异质结构研究进展的基础上,针对有机/无机异质结构光电性能的物理现象、物理机制研究不足的现状,展开了研究工作,主要内容及结论如下:(1)采用简易的水热法在ITO衬底上制备了整齐排列的Zn O纳米柱阵列,并通过旋涂的方法制备PFH/Zn O纳米柱有机/无机异质结。样品在紫外可见光区有很强的吸收,I-V曲线表现出pn结整流特性曲线,得到的整流比(+1V比-1V)为76.5。异质结表现出了良好的光电响应,光暗电流比可达2个数量级以上。光生电流值在外加反向偏压时比正向偏压大,表现出光电二极管特性。但由于Zn O的存在也表现出了持续的光电导。电学测试结果表明,随着温度的增加,有机/无机异质结的导电性能逐渐增加,符合半导体的行为。(2)采用低温湿化学法合成Zn O纳米粒子。同样通过旋涂Zn O纳米粒子和PFH及其混合溶液,制备了基于PFH/Zn O双层复合薄膜的正、反向平面异质结(IPHJ,NPHJ),一种本体质结(BHJ),并研究了三种异质结的光电性能。其结果表明薄膜具有很低的粗糙度,质量较好,在紫外可见光区有很强的吸收。由于我们采用的是纳米粒子,扩大了两种材料的有效接触面积,进一步提高界面的性质,在光照时更容易使产生的激子快速有效的扩散到界面上,光电响应可以瞬间发生,光暗电流比可达3个数量级以上。电学测试结果表明,随着温度的增加,有机/无机异质结的导电性能逐渐增加,符合半导体的行为。(3)探索性的研究了Si/PFH异质结,并利用Si/PFH异质结具有良好的光电性能,自主设计了一种基于Si/PFH有机/无机异质结的紫外光电探测器。器件反应灵敏,性能稳定,易于批量生产,具有很大的商业价值。