ZnO化合物作为第三代宽禁带半导体,在宽带隙半导体发光器件领域具有重要的应用前景,从上世纪九十年代起,重新受到国际的高度关注。近年来,对ZnO器件的应用研究已经扩展到太阳能电池和柔性衬底发光器件领域。在这些应用领域中,除了要求ZnO晶体层进一步降低厚度,减少内应力,提高透光率之外,提高穿过ZnO半导体器件结界面的电子气密度和传输率,增强发光增益,成为当前亟待要解决的关键问题。在本文中,为了优化和探索ZnO p-n同质结器件的发光性能和光电子传输机理,寻找高增益ZnO基器件的解决方案,我们采用在ZnO结结构中插入ZnMgO多量子势垒,制备出新型ZnO p-n结结构器件。实验发现,采用这种技术明显地提高了穿过结界面的载流子浓度和电子传输速率,有力地解决了ZnO基发光器件的高增益问题,为ZnO p-n结器件的应用提出了一个可行的技术方案。取得的有特色和创新性的研究成果如下：1、采用激光沉积技术,分别制备出具有高结晶质量的ZnO/Zn1-xMgxO (ZnO/ZMO)层状薄膜(D系列)和Zn1-xMgxO非对称多量子势垒(ZMOADB)结构E系列多层薄膜,两系列样品均具有沿c-轴高度结晶取向的六角纤锌矿结构。并采用Li-N复合掺杂技术,克服了本征n型导电ZnO半导体难以制备p-n结的技术困难,在Si衬底上制备出结晶质量良好的ZnO p-n同质结结构,为实现Si基ZnO p-n结器件的应用奠定了基础。同时,我们又采用内嵌ZMO ADB结构新工艺,成功制备出p-ZnO(Li,N)/ZMO ADB/n-ZnO结构薄膜(Q系列样品),为实现量子势垒调控器件性能奠定了研究基础。在一些关键工艺上取得了创新性的研究成果。2、系统地分析了ZnO/ZMO薄膜的结构和性能。实验发现,D系列薄膜的界而存在着高迁移率的二维电子气。其中,影响二维电子气浓度和迁移率的主要因素是晶体层厚度和Mg含量值,在保持一定的Zn1-xMgxO晶体层厚度和控制x值小于0.35时,样品具有较高的载流子浓度和迁移率。同时发现,当x<0.35时,Mg在ZnO中保持良好的固溶性,薄膜具有纤锌矿结构。当x值大于0.35时,Zn1-xMgxO开始出现四方相结构,因此,克服四方相的出现是制备具有c轴取向高结晶质量ZnO/ZMO薄膜的关键因素。光学实验发现,D系列样品都出现明显的吸收边,进一步证明了ZnO/ZMO薄膜具有良好的结晶质量。同时,结合PL谱分析,发现Zn1-xMgxO薄膜的带隙随着x=0.15、0.25、0.35,蓝移至3.405、3.425和3.435eV,表明ZnMgO与ZnO两个晶体层之间的能带差值被明显拉开,为在ZnO中构建ZnMgO多量子势垒提供了条件,从而确保了可以通过ADB量子势垒的构建实现对其光增益的调控。3、系统地研究了非对称性Zn1-xMgxO多量子势垒(ZMO ADB)的结构和性能。在吸收谱中,我们成功地观测到了E系列样品出现的二维电子态密度所具有的台阶形状,清楚地表明ZnMgO多量子势垒在室温下具有明显的量子束缚效应。并且,通过光致发光谱发现,ZnO激子发光峰伴随着可见光区域的发光峰消失得到明显的增强,表明在ADB结构中的ZnO势阱作为激子有源层,在室温下出现的量子束缚效应是导致光增益的主要原因。此外,通过电学性能分析发现,伴随着量子散射效应的出现载流子迁移率有所下降。因此,通过ZMO ADB结构的研究,为获得高发光效率的ZnO器件提供了有价值的实验数据。4.通过H系列和Q系列系统对比分析,深入研究了内嵌ZMOADB组元对ZnO p-n结微结构、性能及对光电增益的调控作用。吸收谱研究发现,代表二维态密度的典型台阶效应的激子峰在室温下同样出现在ZnO p-n结结构中。由此,进一步证实了ZnMgO多量子势垒在p-n结界面上出现了沿ZnO主轴方向的量子束缚效应。同时,在光致发光谱研究中发现,Q系列的量子势垒明显地增强了激子发光强度和限制了可见光区域的能级跃迁,从而提高了ZnO p-n结器件的发光增益。此外,通过两个系列的电学性能对比研究发现,相较H系列而言,具有内嵌ZMOADB结构的样品使p-n结的最小厚度降低到了原来的44%。并且,在反向电压作用下,在p-n结整流特性研究中观测到Q系列样品出现了明显的场致带间隧道效应。同时发现,载流子的迁移率有明显的提高。表明在Q系列中,内嵌的ZMOADB产生的场致带间隧道效应是提高迁移率的主要原因。由于场致带间隧道效应克服了因量子散射效应而导致的迁移率降低和电阻率升高,从而提高了二维电子气的传输速率,促进了器件传输性能的提升。因此,通过ZnMgO多量子势垒的内嵌方案,实现了对ZnO同质p-n结性能的调制。这项研究工作,对ZnO基p-n结器件的应用拓展了新的空间,具有十分积极的意义。