目的：在脑缺血再灌注时，神经细胞内产生大量的NO和超氧阴离子，他们以近扩散控制速率反应生成过氧亚硝酸阴离子ONOOˉ，ONOOˉ可使蛋白质中酪氨酸残基发生硝基修饰，生成硝基酪氨酸。NMDA受体是一种离子型谷氨酸受体，是电压依赖的配基门控通道，是多年来缺血性脑损伤分子机制的研究重点。本研究的总目的是阐明脑缺血再灌注后离子型谷氨酸受体NMDA受体2A亚基发生酪氨酸硝基化的调控机制，及蛋白质的硝基化对NMDA受体功能及其信号传导通路的调控，为防治缺血性脑损伤提供新的对策和药物作用的靶点。　　 方法：采用四动脉结扎法构建大鼠全脑缺血模型。分别给予Sprague-Dawley大鼠腹腔注射FeTMPyP(ONOOˉ清除剂，2mg/kg)，氨基胍(AG，iNOS的抑刺，100mg/kg)，7-硝基吲唑(7-NI，nNOS的抑制剂，25mg/kg)，硝普钠(SNP，外源性的NO供体，5mg/kg)，脑室注射PP2（Src激酶抑制剂，15ug/10ul），主要运用SDS-PAGE、免疫印迹、免疫沉淀等方法对蛋白质的酪氨酸硝基化以及蛋白质之间的相互作用进行研究；应用焦油紫染色等方法检测脑缺血/复灌诱导的海马神经元的存活和凋亡；培养19天的原代大鼠海马神经元细胞，给予Glu刺激，FeTMPyP,SIN-1(ONOOˉ供体)，PP2，采用DAPI染色方法检测谷氨酸刺激诱导的海马神经元的存活和凋亡情况。采用膜片嵌电生理技术检测硝基化对NMDA诱导的离子通道功能的影响。　　 结果：脑缺血/再灌注能促进NMDA受体2A哑基酪氨酸硝基化，给予FeTMPyP、7-NI、AG、SNP或PP2均能够抑制脑缺血/复灌诱导的NMDA受体2A亚基硝基化的增加，进一步抑制了脑缺血/复灌过程中NR2A-PSD95-Src信号模块的组装。并且外源性NO供体SNP可以抑制iNOS的表达和nNOS的活性。对SOD活性和MDA表达的测定表明，给予SNP后抑制了脑缺血再灌注引起的超氧阴离子氧自由基升高。通过焦油紫和TUNEL染色显示五种药物对脑缺血海马组织都具有明显保护作用。抑制酪氨酸硝基化抑制了NMDA诱导的NMDAR离子通道功能，而外源性ONOOˉ抑制了FeTMPyP引起NMDAR离子通道功能的减弱。　　 结论：脑缺血再灌注能引起NMDA受体2A亚基酪氨酸硝基化，NR2A亚基硝基化促进NR2A-PSD95-Src三者之间的模块组装，并增强NMDAR离子通道功能。硝基化所需的NO与iNOS和nNOS的供给相关。外源性NO供体SNP可以抑制NR2A亚基硝化，其机制与其抑制iNOS的表达和nNOS和活性及抑制脑缺血再灌引起的自由基升高有关。